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Power Integrations收购
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开发商Odyssey半导体资产
国博电子:公司
GaN
射频模块主要应用于4G、5G基站设备中,积极布局6G移动通信应用
技术进展|突破性研究:
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-on-Diamond键合界面热阻显著降低
北京大学申请多沟道
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基HEMT专利,降低导通电阻进而降低损耗
《用于零电压软开通电路的
GaN
HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
能华半导体张家港制造中心(二期)项目动工,将新建6英寸
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外延片产线
CSPSD 2024成都前瞻|海思科技包琦龙:ICT 场景下中低压 (<200V)
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器件应用挑战
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇:P
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增强型
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功率器件设计与仿真技术
CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半导体刘成:应用于工业及汽车市场的
GaN
功率器件制造技术
国家重点研发计划“单片集成
GaN
基可调控Micro-LED发光器件研究”项目启动
CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学张紫辉:
GaN
功率半导体器件仿真建模与制备研究
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧:肖特基型p-
GaN
栅
GaN
HEMT的栅极抗静电鲁棒性
CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料实验室王方洲:低损耗高耐压Si基
GaN
双向阻断功率器件研究
《用于零电压软开通电路的
GaN
HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进:如何使
GaN
功率器件如Si MOSFET一样简单易用?
北京大学取得Al
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基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,显著提升器件的光输出功率
《用于零电压软开通电路的
GaN
HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
北京大学申请长波长In
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基发光二极管专利,有利于提高发光多量子阱中的铟并入
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诚邀您参加CSE化合物半导体产业博览会
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-
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栅极增强型电力电子器件
成果推荐 | 硅衬底上基于高Al组分AlIn
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势垒层射频微波器件
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋
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衬底
半导体所研制出室温连续功率4.6W的
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基大功率紫外激光器
扬杰科技申请高封装功率密度的
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HEMT器件及其制备方法专利
8英寸SiC和
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晶圆厂项目签约福建
英飞凌、京瓷
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/SiC新动作
北大团队新型器件技术加速
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进入工业与汽车应用
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-
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垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,
能带工程,
光电探测器,
深圳大学,
垂直异质集成
福州新区新增两个
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项目签约
联合攻关成果!1700V
GaN
HEMTs器件研制成功
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